Актуальные вопросы физики сегнетоэлектриков и родственных материалов

Симпозиум посвящен столетию со дня рождения профессора
Л.А. Шувалова
(15 ноября 1923 года - 6 декабря 2004 года)
Лев Александрович Шувалов хорошо известен в сегнетоэлектрическом сообществе как талантливый ученый, обаятельный, эрудированный и искрометный человек, внесший большой вклад в развитие нашей области науки. Работы Л.А. Шувалова сыграли определяющую роль в становлении симметрийного подхода к описанию кристаллографии и кристаллофизики сегнетоэлектриков.

Им установлены общие закономерности доменной структуры сегнетоэлектриков и её влияния на макроскопические свойства таких кристаллов, создана кристаллофизическая классификация сегнетоэлектриков — эти и многие другие результаты вошли в монографии и учебники.

Результаты ряда его работ легли в основу современной физики сегнетоэлектричества и родственных материалов. Его ученики работают во многих ведущих научных центрах России и мира.

Удивительным талантом Льва Александровича было собирание вместе замечательных ученых в рамках совместных симпозиумов и семинаров, на которых возникали неожиданные работы, решались сложные задачи. Это симпозиумы и семинары затем входили в нормальную научную практику, помогая лично узнавать друг друга ученым из разных стран. Так, например, именно Л.А. Шувалов стоял у истоков советско-американских и советско-японских конференций, просуществовавших много десятилетий.

В рамках Всероссийской сегнетоэлектрической конференции, состоявшейся в Петербурге в 2009 году была организована специальная сессия с международным участием, посвященная Л.А. Шувалову. На этой сессии присутствовало большое количество наших западных коллег, знавших лично или по работам Л.А. Шувалова и поддерживавших его в период болезни. Нужно отметить, что в истории советской и российской науки нам известны только два случая, когда наши западные коллеги жертвовали деньги для спасения жизни наших ученых – Л.Д. Ландау и Л.А. Шувалов.

Трехдневный симпозиум «Актуальные вопросы физики сегнетоэлектриков и родственных материалов» (назовем его Шуваловские чтения), направлен на обмен свежими идеями и новыми результатами в области физики сегнетоэлектричества и родственных материалов. Планируется обсуждение взаимосвязи сегнетоэлектрических и магнитных явлений в кристаллах, вопросов микроскопической теории, критических явлений, новых материалов и структур и т.д. Приветствуется участие в Симпозиуме ВСЕХ наших коллег, включая сотрудников R&D отделений прикладных институтов и фирм.
Организаторы
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "МИРЭА - Российский технологический университет"

Секция «Физика сегнетоэлектриков и диэлектриков» Научного совета РАН по физике конденсированных сред

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе
Спонсоры Симпозиума
  • Общество с ограниченной ответственностью
    «НОВА СПБ»
    Основным видом деятельности компании является разработка оборудования для зондовой микроскопии и спектроскопии, а также других научных инструментов высокого класса для экспериментальных исследований в области нанотехнологий

    Россия, город Санкт-Петербург, улица Савушкина, дом 83, корпус 3
Симпозиум пройдет в РТУ МИРЭА (Москва).

Мы постараемся дать возможность выступить устно в очно/заочной форме максимальному количеству участников.
Симпозиум
«Актуальные вопросы физики сегнетоэлектриков
и родственных материалов»
ТЕМАТИЧЕСКИЕ СЕКЦИИ
Структура и рост новых функциональных кристаллов
(включая минералы) и синтез керамики.

Физические свойства функциональных материалов

(в том числе пленки/керамика при высоких полях, температурах, радиации и др.).

Спектроскопия
(оптическая, ЯМР и ЭПР и др.)
при фазовых превращениях или переходах (в том числе при воздействии высоких температур, давлений, полей). Новая техника.
Нейтронные и синхротронные исследования (в том числе при воздействии высоких температур, давлений, полей). Новая техника.
Теория и моделирование кристаллической решетки, софт. Новые явления.
Физика доменов, доменная инженерия.
Прикладные аспекты функциональных материалов
(устройства, макеты, математические модели и т.д). (в том числе при воздействии высоких температур, давлений, полей).
Жидкие кристаллы, эластомеры, композиты.
Круглый стол с воспоминаниями о Л.А. Шувалове
программа
29
февраля
9:00 – 10:00
Регистрация, кофе-брейк
10:00 – 10:10
Открытие
10:10–12:00
Приглашенные доклады:
10:10-10:50 - Воротилов К.А., Сигов А.С. Диэлектрики и сегнетоэлектрики в технологии интегральных схем: современный уровень и возможные сценарии (обзор).

10:50-11:30 - В.Я. Шур «Ориентация доменных стенок и форма доменов в одноосных сегнетоэлектриках»

11:30 – 12:00 - Д.А.Козодаев, С.И.Нестеров, М.А. Трусов «Современные научные инструменты для наномасштабных исследований сегнетоэлектрических материалов» (группа компаний «НТ-МДТ)

12:00 – 12:30
Кофе-брейк
12:30–14:00
Устные доклады (I поток) вед. Лушников С.Г.
12:30 -12:45  - И.П. Макарова, Е.В. Селезнева, А.Л. Толстихина, Р.В. Гайнутдинов, В.А. Коморников, Н.Н. Исакова, А.И. Калюканов, И.А. Малышкина «Закономерные связи между составом, структурой и физическими свойствами кристаллов-суперпротоников»

12:45 -13:00  - А.И. Лебедев «Сегнетоэлектричество в семействе систем BaX–PbX (X = S, Se, Te) со структурой каменной соли»

13:00 -13:15  - А.Ф. Константинова, Т.Г. Головина, А.П. Дудка, А.В. Буташин, Б.А. Уманский, Н.Л. Сизова, Б.В. Набатов, Н.С. Козлова, В.М. Касимова, Е.В. Забелина «Исследование взаимосвязи между составом, атомной структурой, оптическими и механическими свойствами кристаллов семейства лангасита»

13:15 -13:30  - С.С. Шарая, Б.А. Захаров «Структурные изменения в сегнетовой соли и в R-(3)-хинуклидиноле при варьировании температуры и давления»

13:30 -13:45  - А.С. Константинов, Е.Д. Линник «Динамика решетки и фазовые переходы в системе титаната бария-стронция»

13:45 -14:00  - Е.Д. Линник, А.С. Михейкин, А.С. Константинов «Фазовые переходы в модифицированном SrTiO3»

12:30–14:00
Устные доклады (II поток) вед. К.А. Воротилов
12:30 – 12:45  - Е.Б. Калика, В.В. Михеев, И.Г. Марголин, А.А. Чуприк «Влияние механических напряжений на свойства тонких пленок сегнетоэлектрического оксида гафния»

12:45-13:00  - И.А. Савичев, И.Г. Марголин, А.А. Чуприк «Уменьшение поля деполяризации и увеличение времени хранения информации в функциональных структурах памяти на основе Hf0.5Zr0.5O2»

13:00-13:15  - С.С. Старухина «Исследования тонких пленок мультиферроика на основе Ba2NdFeNb4O15 методами сканирующей зондовой микроскопии»

13:15-13:30  - С.М.Тарханян, В.Ю.Кочегарова , Y.Gagou, M.El Marssi, М.А Бунин., О.А.Бунина, И.П Раевский «Исследования пленки GdK2Nb5O15 методами сканирующей зондовой микроскопии и рентгеновской дифракции»

13:30-13:45  - М.А.Бунин, К.С.Чумаченко, В.А.Ёршин, И.П.Раевский «Заряды блоков поверхности пленки ниобата натрия»

13:45-14:00  - А.В.Нестеренко, В.В. Петров, Ю.Н. Варзарев «Исследование пьзоотклика пленки ЦТС, с токосъемным слоем УНТ, сформированными на кремнии»


14:00 – 15:00
Обед
15:00 – 16:30
Устные доклады (I поток) вед. И.В. Шнайдштейн
15:00 - 15:15 - Габбасов Б.Ф., Зверев Д.Г., Киямов А.Г., Трепаков В.А., Юсупов Р. В. «Понижение симметрии примесных центров ионов марганца и железа в титанате стронция.»

15:15 - 15:30 - С. М. Пилюшко, Н. С. Козлова, Е. В. Забелина, В. М Касимова., Г. Ю. Деев, О. А. Бузанов «Электрофизические свойства монокристаллов Gd3AlxGa5-xO12 (х=2, 3) и Gd3Al2Ga3O12:Се»

15:30 - 15:45 - И.А. Случинская, А.И. Лебедев «Зарядовое состояние и локальное окружение 3d-примесей в SrTiO3 по данным XAFS-спектроскопии и ab initio расчетов»

15:45-16:00 - Г.Ю.Деев, Н.С.Козлова, Е.В.Забелина, В.М.Касимова, Н.Ю.Табачкова, А.Ф.Константинова, Т.Г.Головина, О.А.Бузанов «Влияние послеростовых изотермических отжигов на свойства кристаллов Ca3TaGa3Si2O14»

16:00-16:15 - Андрюшина И.Н., Андрюшин К.П., Дудкина С.И., Глазунова Е.В., Хасбулатов С.В., Вербенко И.А., Резниченко Л.А. «Влияние условий фазообразования на внутреннюю структуру и макросвойства функциональных керамик на основе ниобата натрия, феррита висмута и титанатов бария стронция»

16:15 - 16:30 - Е. В. Головкина, А. С. Крылов, С. Н. Крылова, В. В. Воног, А. Н. Втюрин «Симметрийный анализ спектров комбинационного рассеяния кристаллов по их угловым зависимостям»

15:00 – 16:30
Устные доклады (II поток)вед. Воротилов К.В.
15:00 - 15:15 - И.П. Раевский, В.В. Титов, Shi Xue,G. Li, С.И. Раевская, М.А. Малицкая, С.И. Колосов «Температурные и полевые зависимости обратного пьезомодуля керамик PbFe1/2Nb1/2O3 и PbSc1/2Nb1/2O3»

15:15 - 15:30 - И.Г. Шепун, О.Ю. Грапенко, В.Г. Смотраков, Ю.А. Куприна, К.А. Чебышев, Абхинав Ядав, Н.В. Тер-Оганесян «Синтез, кристаллическая структура и диэлектрические свойства высокоэнтропийных твердых растворов xNa1/2Bi1/2TiO3-(1-x)(Ba1/3Sr1/3Ca1/3)TiO3 (x = 0.2, 0.3, 0.4, 0.5, 0.6)»

15:30 - 15:45 - Р. В. Диков , А.В. Сопит, Л.В. Жога «Диэлектрические свойства сегнетокерамики Ba0.95Pb0.05TiO3 с добавкой оксида кобальта»

15:45 - 16:00 - А.А. Панич, А.Ю. Малыхин, А.В. Скрылёв, Л.А. Дыкина, Е.А. Панич, О.В. Зацерклянный, К.А. Гореленко «Свойства пьезокерамических материалов на основе цирконата-титаната свинца в температурном диапазоне от -190 до 300 ℃»

16:00 - 16:15 - А.Ю.Малыхин, А.В. Лебедева, А.А.Нестеров, Л.А. Дыкина «Влияние добавок висмута и сурьмы на электрофизические характеристики пьезокерамики на основе цирконата-титаната свинца»

16:15 - 16:30 - А.В. Сопит, Л.В. Жога, С. Р. Аль Саиди «Влияние добавки BaTiO3 на диэлектрические и акустические свойства керамики на основе KNN»

Модератор А.С. Сигов, С.Г. Лушников
16:30 – 18:00
Круглый стол «Л.А. Шувалов – человек, ученый, учитель» Выступления С.А. Гриднева, И.Н. Флерова, В.Я. Шура и др.
18:00
Товарищеский ужин (РТУ МИРЭА)
1
марта
9:40 - 11:10
Приглашенные доклады вед. В.Я. Шур
9:40 - 10:20 - С.Б. Вахрушев «Релаксоры в электрических полях»

10:20 - 11:00 - С.Г. Лушников «Акустические фононы в суперионных/суперпротонных кристаллах»
11:30–13:00
Устные доклады (I поток)
11:30 - 11:45  - Е.Н. Сапего, А.В. Тумаркин, А. Богдан, А.Р. Карамов, А.Г. Гагарин
«Исследование тонких сегнетоэлектрических пленок титаната стронция для СВЧ применений»

11:45 - 12:00 - А.Н. Олейник, М.Э. Гильц, В.С. Сотникова, Ю.С. Шаблов, П.Г. Шаповалов «Ускорение заряженных частиц при помощи пироэлектрического и пьезоэлектрического эффекта»

12:01 - 12:15 - С.М. Шандаров, К.М. Мамбетова, А.И. Аксенов, Л.Н. Орликов, Е.Н. Савченков, М.А. Брюшинин, И.А. Соколов «Электрические разряды, генерируемые в циклах нагрева и охлаждения ниобата лития при атмосферном давлении»

12:15 - 12:30 - Е.А. Панич, В.П. Магер «Особенности технологических приемов поляризации сегнетопьезокерамичеcких элементов»

12:30 - 12:45 - А.А.Панич, А.Ю.Малыхин, А.И. Сокалло, В.В. Топоровский, В.В. Самаркин «Применение сегнетопьезоэлектрических материалов в деформируемых зеркалах актюаторного типа»

12:45 - 13:00 - С.В. Хасбулатов, К.П. Андрюшин, С.И. Дудкина, Л.А. Резниченко «Фазообразование и особенности физических свойств функциональных керамических материалов на основе феррита висмута и титанатов бария-стронция»

11:30–13:00
Устные доклады (II поток)
11:30 - 11:45 - А.В. Сопит, Л.В. Жога, С. Р. Аль Саиди «Фотоэлектрический отклик бессвинцовой сегнетоэлектрической керамики на основе KNN»

11.45 - 12.00 - Л.Н. Коротков, Н.А. Толстых, А.В. Белушкин, Н.А. Емельянов Р.М. Еремина «Влияние дефектов решетки на магнитные свойства нанокристаллического BaTiO3»


12:00 - 12:15 - Е.В. Глазунова, А.С. Чехова, Л.А. Шилкина, И.А. Вербенко, Л.А. Резниченко «Фазообразование и электрофизические свойства в керамике Na0.5Bi0.5TiO3-Na0.5K0.5NbO3-BiFeO3»

12:15 - 12:30 - А.Н. Рыбянец, Н.А. Швецова, И.А. Швецов, Н.А. Колпачева «Аномалии диэлектрических свойств керамоматричных композитов вблизи порога перколяции»

12:30 - 12:45 - A.С. Вишневский, Д.С. Серегин, К.А. Воротилов «Гетерофазные композиты на основе сегнетоэлектрических пленок: контроль заполнения пористой структуры»

12:45 - 13:00 - И.В. Шнайдштейн, С.В. Грабовский «Аномалии теплоемкости в кристаллах ВаTiO3»
13:00 – 14:00
Обед
14:00 – 16:00
Устные доклады (I поток):
14:00 - 14:15 - В.Ю. Тополов «Концепция плоскостей нулевых средних деформаций при описании гетерофазных бессвинцовых сегнетоэлектрических твердых растворов»

14:15 - 14:30 - В.Ю. Тополов, С.А. Ковригина «Ориентационный эффект и пьезоэлектрическая анизотропия в новых 2–1–2-композитах на основе PZN–0.07PT»

14:30 - 14:45 - Г.А. Гегузина «Области существования сложных оксидов с кислородно-октаэдрическими структурами»

14:45 - 15:00 - Г.А. Гегузина «Корреляции между температурами различных фазовых переходов перовскитов и напряженностями их межатомных связей»

15:00 - 15:15 - А.В. Наседкин «О геометрической анизотропии пьезоэлектрических композиционных материалов»

15:15 - 15:30 - М. П. Ивлиев «Формирование сегнетоэлектрических фазовых состояний Ba1-xSrxTiO3. Исследование на основе восьмиминимумной модели»

15:30 - 15:45 - А.Ю. Белов «Условие равновесия сегнетоэлектрических доменов с учетом градиентной зоны»

15:45 - 16:00 - В.С. Быстров «Сегнетоэлектрические явления в ионных каналах биомембран»
14:01 – 16:00
Устные доклады (II поток):
14:01 - 15:15 - А. М. Пугачев, А. А. Соколов «Температурная зависимость дипольного момента в кристаллах и пленках ниобата бария сторонция»

14:15-14:30 - А.Д. Ушаков, Q. Hu, X. Liu, Z. Xu, X. Wei, В.Я. Шур «Формирование доменной структуры для улучшения пьезоэлектрических и электрооптических свойств монокристаллов PIN-PMN-PT ромбоэдрической фазы»

14:30 - 14:45 - В.А.Шуваева «Применение абсорбционной спектроскопии к исследованию сегнетоэлектриков и антисегнетоэлектриков со структурой перовскита»

15:45 - 15:00 - В.А. Чичканов, О.А. Бунина, М.А. Бунин «Характеризация структурного упорядочения B-катионов в двойных перовскитах A2B'B''O6 методами рентгеновской дифрактометрии»

15:00-15:15 - В.В. Кочервинский, С.Б. Бибиков «Особенности молекулярной и доменной структуры сегнетоэлектрических полимеров»

15:15 - 15:30 - В.В. Кочервинский, С.Б. Бибиков «Особенности молекулярной и доменной структуры сегнетоэлектрических полимеров»

15:30 - 15:45 - И.С. Воронина, Е.Э. Дунаева, Л.Д. Исхакова, А.Г. Папашвили,
М.Е. Дорошенко, Л.И. Ивлева «Исследование процессов легирования кристаллов ортованадата кальция ионами кобальта»

15:45 - 16:00 - Н.В. Сидоров, М.Н. Палатников, А.Ю. Пятышев, А.В. Скрабатун «Концентрационная зависимость комбинационного рассеяния света в кристаллах LiNbO3:Cu(0.005-0.046 мас.%)»
16:00 – 16:20
Кофе-брейк
16:20 – 17:50
Устные доклады (I поток):
16:20 - 16:35  - К.В. Евсеев, И.И. Гумарова, Р.Ф. Мамин «Изучение из первых принципов магнитоэлектрической связи в гетероструктурах ферромагнетик/сегнетоэлектрик»


16:35 - 16:50 - А.А. Евсеев, И.И. Гумарова, О.В. Недопекин «Исследование гетероструктур со спиновым расщеплением Рашбы из первых принципов»

16:50 - 17:05 - И.Г. Марголин, Е.В. Коростылёв, Е.Б. Калика, Д.В. Негров, А.А. Чуприк   «Структурные свойства и их изменение во время пробуждения HZO: первопринципное и экспериментальное понимание»

17:05 - 17:20 - C.Н. Крылова, Ю.Э. Китаев, С.Г. Лушников «Динамика решетки слабого сегнетоэлектрика Li2Ge7O15»

17:20 - 17:35 - А. В. Мелентьев, Е. С. Жукова, Б. М. Некрасов, М. Тюнина, В. Ветохина, T. Kocourek, E. de Prado, В. С. Столяров, А. С. Фролов, М. Савинов, А. А. Буш, В. И. Козлов, М. В. Таланов, Б. П. Горшунов «Сегнетоэлектрическая мягкая мода в тонких пленках допированного SrTiO3:M (M=Mn, Ni, Fe, Co)»

17:35 - 17:50 - В.А. Абалмасов «Отличие потенциалов валентных OH-колебаний и сегнетоэлектрической моды в кристалле KDP из изначальных вычислений»
16:20 – 17:35
Устные доклады (II поток):
16:20 - 16:35 - А.С. Москвин «Спин-зависимая электрическая поляризация в ян-теллеровских магнетиках с переносом заряда»

16:35 - 16:50 - О.М. Голицына, С.Н. Дрождин, И.Е. Занин «Влияние слабого постоянного магнитного поля на структуру кристалла ТГС»

16:50 - 17:05 - Иванова Е. С., Петржик Е. А., Волк Т. Р. «Магнитостимулированные эффекты в сегнетоэлектрических кристаллах триглицинсульфата с примесью хрома»

17:05 - 17:20 - В.А. Чижиков, В.Е. Дмитриенко «Антиферромагнитные спиновые скосы как причина возникновения сегнетоэлектричества в геликоидальном мультиферроике Cu2OSeO3»

17:20 - 17:35 - С.Н. Софронова, А.С. Крылов, М.С. Павловский «Динамики кристаллической решетки твердых растворов Co3-хNixB2O6 со структурой котоита»
17:50 - 18:50
Постерная сессия:
  1. Е.Г. Троценко, М.В. Таланов «Роль вторичных параметров порядка в формировании структуры перовскита с наклонами октаэдров»
  2. Н.А. Швецова, А.Н. Рыбянец «Микроструктурные особенности и электромеханические характеристики пористой пьезокерамики системы ЦТС»
  3. А.Н. Рыбянец, Н.А. Швецова «Сегнетоэлектрический гистерезис и процессы переключения в плотных и пористых пьезокерамиках системы ЦТС»
  4. Д.И. Макарьев, А.Н. Резниченко, Н.А. Швецова, А.Н. Рыбянец «Влияние размеров и концентрации металлических частиц на пьезосвойства композита системы «пористая пьезокерамика - полимер - металл»
  5. А.Н. Резниченко, П.А. Абрамов, М.Г. Константинова, Н.А. Швецова, А.Н. Рыбянец «Пьезоэлектрический гистерезис и релаксационные процессы в сегнетомягкой пьезокерамике в слабых электрических полях»
  6. С.М. Кострицкий, В.А. Федоров, О.Г Севостьянов И.М. Чиркова «Исследование фазовых превращений в протонообменных LiNbO3 волноводах методом спектроскопии КРС»
  7. А.В. Тумаркин, Н.Г. Тюрнина, З.Г. Тюрнина, Д.И. Цыганкова, О.Ю. Синельщикова, А.Г. Гагарин, А.Р. Карамов «Сегнетоэлектрические композиты BaTiO3 и SrTiO3 с легкоплавкой добавкой - B2O3»
  8. А. Богдан, А.В. Тумаркин, Е.Н. Сапего, А.Р. Карамов, А.Г. Гагарин «Влияние отжига на структурные и диэлектрические свойства тонких пленок ниобата бария-стронция для СВЧ применений»
  9. А.В. Тумаркин, Н.Г. Тюрнина, З.Г. Тюрнина, Д.И. Цыганкова, О.Ю. Синельщикова, А.В. Дроздовский «Мультиферроидные композиты Ba0.7Sr0.3TiO3/NiFe2O4»
  10. М.А. Мараховский, М.В. Таланов, Е.А. Панич «Влияние методов спекания на электрофизические свойства сегнетопьезоматериалов кислородно-октаэдрического типа»
  11. Д.И. Рудский, Е.Н. Сидоренко, А.О. Галатова, А.А. Утоплов, А.В. Назаренко, Ю.В. Кабиров, И.А. Вербенко, Н.Б.Кофанова, А.Г.Рудская «Влияние нестехиометрии на фазовое состояние и радиопоглощающие свойства феррита висмута»
  12. Н.К. Дерец, М.Г. Кржижановская, А.А. Левин, С.А. Крылова, Т.А. Смирнова, С.Г. Лушников «Структура и динамика релаксорного сегнетоэлектрика PbNi1/3Ta2/3O3 в окрестности размытого фазового перехода»



Спикеры
  • «Релаксорные сегнетоэлектрики в электрическом поле».
    Вахрушев С.Б. (ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН)
  • «Диэлектрики и сегнетоэлектрики в технологии интегральных схем: современный уровень и возможные сценарии»
    Воротилов К.А., Сигов А.С. (РТУ МИРЭА)
  • Названии доклада будет размещено в ближайшее время
    Лушников С.Г. (ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН)
  •  «Ориентация доменных стенок и форма доменов в
    одноосных сегнетоэлектриках».
    Шур В.Я. (ИЕНиМ УрФУ)
Публикации
По материалам конференции будет подготовлен специальный выпуск журнала Ferroelectrics, посвященный 100-летию со дня рождения проф. Л.А. Шувалова. Номер журнала планируется выпустить в 2024 году.
Зарегистрируйтесь на Симпозиуме!
бесплатное участие
Бесплатно
зарегестрироваться
Вахрушев С.Б. - ФТИ им А.Ф. Иоффе, С.-Петербург
Волк Т.Р - ИК РАН им. А.В.Шубникова, Москва
Иванова Е.C. - ИК РАН им. А.В.Шубникова, Москва
Коротков Л.Н. - Воронежский ГТУ, Воронеж
Лушников С.Г. - ФТИ им А.Ф. Иоффе, С.-Петербург
Флеров И.Н. - ИФ им. Л.В. Киренского СО РАН, Красноярск
Чугуева И.Н. Минобрнауки России, Москва
Шур В.Я. - Институт естественных наук и математики, УФУ, Екатеринбург
Сигов А.С. – председатель
(РТУ МИРЭА)
Милованова Н.В. - секретарь
(РТУ МИРЭА)
Лушников С.Г – председатель
(ФТИ им. А.Ф. Иоффе)
Воротилов К.И. - РТУ МИРЭА
Мишина Е.А. - РТУ МИРЭА
Втюрин А.Н. - ИФ им. Л.В. Киренского СО РАН
место проведения
РТУ МИРЭА на Проспекте Вернадского, д. 78
Адрес: 119454, ЦФО, г. Москва, Проспект Вернадского, д. 78

Схема проезда:

  • От м. «Юго-Западная» - автобус 227, 667 до остановки «Академия народного хозяйства» (выход из первого вагона налево)
  • От м. «Юго-Западная» пешком около 10 мин (выход из последнего вагона налево).

Контактная связь по организационным вопросам:

Милованова Надежда Викторовна
раб тел. +7 (495) 434-74-74
е-mail: milovanova@mirea.ru

Лушников Сергей Германович
е-mail: sergey.lushnikov@mail.ioffe.ru